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  • PT124G-3500-60/60J哈氏合金单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。
  • PT124G-3500-60/60J不锈钢单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。
  • PT124G-3500-60/60J316L单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。
  • PT124G-3500-60/60J高稳定单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。
  • PT124G-3500-60/60J耐高温单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。
  • PT124G-3500-60/60J高精度单晶硅压力传感器采用欧洲MEMS技术制作而成的单晶硅芯片,具有高精度、耐高温、超高过载、高稳等特性。内嵌强大信号处理模块,能实现静压、差压与温度的宽范围补偿,能提供极高的稳定性和测量高精度。
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